SK 海力士目标 2028 年将 High NA EUV 技术用于 DRAM 内存量产

据路透社报道，SK 海力士在声明中表示，该公司计划在 2028 年将 High NA（高数值孔径）EUV 光刻图案化工艺用于 DRAM 的批量生产。

ASML 于本月 8 日宣布与台积电、三星电子、英特尔合作，推动 High NA EUV 生态系统向更大面积的 12 英寸掩膜（光罩）发展。SK 海力士正在考虑是否加入该联盟。

IT之家注意到，三星电子在同日发布的新闻稿中确认，计划在 2028 年将 High NA EUV 技术应用于先进 DRAM 内存的批量生产；美光此前表示，计划为第 7 代 10nm 级 DRAM 工艺 1δ (1-delta) 引入最新一代的 EUV 光刻设备。

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